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电子元器件详细资料 » IC[34513] » ZXMN6A09DN8TA
型号:ZXMN6A09DN8TA类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C40 毫欧 @ 8.2A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs24.2nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1407pF @ 40V
功率_最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市赛尔通科技有限公司李先生086-0755-83663430
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
深圳市欧和宁电子有限公司李小姐 0755-29275935
深圳市集创讯科技有限公司吴小姐0755-83244680/82865294
锦迅科技(香港)有限公司马小姐086-0755-83226745/82584980
深圳市赛尔通科技有限公司李先生086-0755-83663430
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855

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